2N4401TAR ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 3013+ | 0.048 EUR |
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Technische Details 2N4401TAR ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N4401TAR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote 2N4401TAR nach Preis ab 0.049 EUR bis 0.29 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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2N4401TAR | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N4401TAR | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N4401TAR | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
auf Bestellung 100000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N4401TAR | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
auf Bestellung 90311 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N4401TAR | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose |
auf Bestellung 5599 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N4401TAR | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose |
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2N4401TAR | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N4401TAR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 712 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N4401TAR | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N4401TAR | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Mounting: THT Collector current: 0.6A Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 100...300 Kind of package: Ammo Pack Frequency: 250MHz Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Case: TO92 Formed Power dissipation: 0.625W |
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