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2N4401TFR

2N4401TFR ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
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Technische Details 2N4401TFR ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N4401TFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 625mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N4401TFR 2N4401TFR ON Semiconductor mmbt4401-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 46000 Stücke:
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2N4401TFR 2N4401TFR ON Semiconductor mmbt4401-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
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2N4401TFR 2N4401TFR ON Semiconductor mmbt4401-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
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6000+0.092 EUR
10000+0.089 EUR
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2N4401TFR 2N4401TFR onsemi MMBT4401-D.PDF Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 8000 Stücke:
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2000+0.11 EUR
4000+0.096 EUR
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2N4401TFR 2N4401TFR ON Semiconductor mmbt4401-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 1640 Stücke:
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1043+0.17 EUR
1260+0.14 EUR
1498+0.11 EUR
1590+0.1 EUR
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2N4401TFR 2N4401TFR ON Semiconductor mmbt4401-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 1640 Stücke:
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1050+0.17 EUR
1268+0.13 EUR
1507+0.11 EUR
1598+0.099 EUR
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2N4401TFR 2N4401TFR ONSEMI 2N4401_MMBT4401.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+0.23 EUR
505+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
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2N4401TFR 2N4401TFR ONSEMI ONSM-S-A0013298742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N4401TFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9590 Stücke:
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685+0.37 EUR
1174+0.2 EUR
1187+0.18 EUR
1419+0.15 EUR
5000+0.083 EUR
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2N4401TFR 2N4401TFR onsemi MMBT4401-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
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8+0.46 EUR
12+0.3 EUR
100+0.2 EUR
500+0.14 EUR
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2000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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2N4401TFR 2N4401TFR ON Semiconductor mmbt4401-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
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346+0.51 EUR
567+0.3 EUR
910+0.18 EUR
1237+0.13 EUR
1401+0.11 EUR
2000+0.084 EUR
4000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 346 Stücke
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2N4401TFR 2N4401TFR onsemi MMBT4401-D.PDF Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 9101 Stücke:
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40+0.52 EUR
65+0.32 EUR
104+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 46000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3049+0.057 EUR
4000+0.056 EUR
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auf Bestellung 4748 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2942+0.06 EUR
2968+0.058 EUR
2995+0.057 EUR
3022+0.055 EUR
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 8000 Stücke:
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2000+0.11 EUR
4000+0.096 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 1640 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1043+0.17 EUR
1260+0.14 EUR
1498+0.11 EUR
1590+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1043 Stücke
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Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 1640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1050+0.17 EUR
1268+0.13 EUR
1507+0.11 EUR
1598+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 1050 Stücke
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Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
auf Bestellung 505 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
385+0.23 EUR
505+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
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2N4401TFR
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4401TFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
685+0.37 EUR
1174+0.2 EUR
1187+0.18 EUR
1419+0.15 EUR
5000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 685 Stücke
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
auf Bestellung 16373 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
8+0.46 EUR
12+0.3 EUR
100+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N4401TFR
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 4748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
346+0.51 EUR
567+0.3 EUR
910+0.18 EUR
1237+0.13 EUR
1401+0.11 EUR
2000+0.084 EUR
4000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 346 Stücke
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 9101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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65+0.32 EUR
104+0.2 EUR
500+0.15 EUR
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