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2N4401TFR

2N4401TFR ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
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Technische Details 2N4401TFR ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N4401TFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2N4401TFR 2N4401TFR ON Semiconductor mmbt4401-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
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2N4401TFR 2N4401TFR ON Semiconductor mmbt4401-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 4748 Stücke:
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2N4401TFR 2N4401TFR ON Semiconductor mmbt4401-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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2N4401TFR 2N4401TFR onsemi MMBT4401-D.PDF Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 10000 Stücke:
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2000+0.088 EUR
4000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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2N4401TFR 2N4401TFR ON Semiconductor mmbt4401-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 4748 Stücke:
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1109+0.13 EUR
2165+0.064 EUR
2189+0.061 EUR
2605+0.05 EUR
2748+0.045 EUR
2833+0.042 EUR
2924+0.039 EUR
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2N4401TFR 2N4401TFR ON Semiconductor mmbt4401-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 1640 Stücke:
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1048+0.14 EUR
1266+0.11 EUR
1502+0.093 EUR
1595+0.085 EUR
Mindestbestellmenge: 1048
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2N4401TFR 2N4401TFR ONSEMI 2N4401_MMBT4401.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+0.19 EUR
514+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 385
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2N4401TFR 2N4401TFR onsemi MMBT4401-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
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8+0.39 EUR
12+0.25 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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2N4401TFR 2N4401TFR onsemi MMBT4401-D.PDF Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
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40+0.44 EUR
67+0.26 EUR
107+0.16 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
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2N4401TFR 2N4401TFR ONSEMI ONSM-S-A0013298742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N4401TFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Anzahl Preis
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6000+0.068 EUR
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
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Anzahl Preis
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2165+0.064 EUR
2189+0.061 EUR
2605+0.05 EUR
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1595+0.085 EUR
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Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
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514+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 385
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
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12+0.25 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
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67+0.26 EUR
107+0.16 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4401TFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10738 Stücke:
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