2N4427 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 44217
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Hersteller:
Gehäuse: TO-39
fT: 500 MHz
Uceo,V: 20 V
Ucbo,V: 40 V
Ic,A: 0,5 A
h21: 200
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N4427 | MICROSEMI |
TO39/UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR 2N4427 Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
 |
2N4427 | Central Semiconductor Corp |
Description: RF TRANS NPN 20V 500MHZ TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Gain: 10dB Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 400mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 500MHz Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Obsolete |
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N4427 | Microsemi Corporation |
Description: RF TRANS NPN 40V 500MHZ TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Gain: 10dB @ 175MHz Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 400mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 500MHz Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Obsolete |
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| 2N4427 | Microchip Technology |
RF Bipolar Transistors Comm/Bipolar Transistor |
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| 2N4427 |
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Hersteller: MICROSEMI
TO39/UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR 2N4427
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
TO39/UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR 2N4427
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| 2N4427 |
|
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Description: RF TRANS NPN 20V 500MHZ TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Gain: 10dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Obsolete
Description: RF TRANS NPN 20V 500MHZ TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Gain: 10dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Obsolete
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| 2N4427 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 40V 500MHZ TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Gain: 10dB @ 175MHz
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Obsolete
Description: RF TRANS NPN 40V 500MHZ TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Gain: 10dB @ 175MHz
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Obsolete
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| 2N4427 |
|
Hersteller: Microchip Technology
RF Bipolar Transistors Comm/Bipolar Transistor
RF Bipolar Transistors Comm/Bipolar Transistor
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