2N4449U Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: SMALL-SIGNAL BJT
Power - Max: 600 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Supplier Device Package: U
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
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Technische Details 2N4449U Microchip Technology
Description: SMALL-SIGNAL BJT, Power - Max: 600 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V, Supplier Device Package: U, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 400nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-SMD, No Lead, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N4449U | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 20V 360mW NPN Small-Signal BJT SQ SMT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N4449U |
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 20V 360mW NPN Small-Signal BJT SQ SMT
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Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH