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2N4857A

2N4856-58A-ssi.pdf
Produktcode: 41786
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Hersteller:
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 0,05 A
ZCODE: 8541290010
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N4857A 2N4857A Solid State Inc. 2N4856-58A-ssi.pdf Description: JFET N-CH 40V TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+10.36 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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2N4857A 2N4857A SOLID STATE 685554.pdf Description: SOLID STATE - 2N4857A - JFET-Transistor, JFET, -40 V, 100 mA, -6 V, TO-18, 3 Pins
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-18
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -40V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: -
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N4857A 2N4856-58A-ssi.pdf
2N4857A
Hersteller: Solid State Inc.
Description: JFET N-CH 40V TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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2N4857A 685554.pdf
2N4857A
Hersteller: SOLID STATE
Description: SOLID STATE - 2N4857A - JFET-Transistor, JFET, -40 V, 100 mA, -6 V, TO-18, 3 Pins
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-18
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -40V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: -
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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