2N4860A Solid State Inc.
Hersteller: Solid State Inc.
Description: JFET N-CH 30V TO18
Resistance - RDS(On): 40 Ohms
Power - Max: 300 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-18
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
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Technische Details 2N4860A Solid State Inc.
Description: JFET N-CH 30V TO18, Resistance - RDS(On): 40 Ohms, Power - Max: 300 mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-18, Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 10V, FET Type: N-Channel, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Packaging: Bulk.
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| 2N4860A | MOTOROLA |
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auf Bestellung 16800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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