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2N4918G

2N4918G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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Technische Details 2N4918G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N4918G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10, DC-Stromverstärkung hFE: 10, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 30, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N4918G 2N4918G ON Semiconductor 2n4918-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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2N4918G 2N4918G onsemi 2N4918_D-2309311.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 30W PNP
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2N4918G 2N4918G onsemi 2n4918-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 1A TO126
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2N4918G 2N4918G ONSEMI 2355583.pdf Description: ONSEMI - 2N4918G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3
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Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
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