2N4919G onsemi
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 1A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 30 W
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Technische Details 2N4919G onsemi
Description: TRANS PNP 60V 1A TO-126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-126, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 30 W.
Weitere Produktangebote 2N4919G nach Preis ab 0.74 EUR bis 2.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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2N4919G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 30W PNP |
auf Bestellung 712 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N4919G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N4919G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10 DC-Stromverstärkung hFE: 10 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3 Verlustleistung: 30 Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 111 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2N4919G | ON Semiconductor |
|
auf Bestellung 175 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N4919G |
|
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 30W PNP
Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 30W PNP
auf Bestellung 712 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.09 EUR |
| 10+ | 1.48 EUR |
| 100+ | 0.98 EUR |
| 500+ | 0.77 EUR |
| 1000+ | 0.75 EUR |
| 5000+ | 0.74 EUR |
| 2N4919G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4919G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - 2N4919G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2N4919G |
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Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)