2N4921G onsemi
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 1A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 30 W
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Technische Details 2N4921G onsemi
Description: TRANS NPN 40V 1A TO126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-126, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 30 W.
Weitere Produktangebote 2N4921G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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2N4921G | onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 1A TO126 Power - Max: 30 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: TO-126 Frequency - Transition: 3MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 500µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Bulk |
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2N4921G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 30W NPN |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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2N4921G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N4921G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10 DC-Stromverstärkung hFE: 10 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1 Verlustleistung: 30 Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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| 2N4921G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| 2N4921G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N4921G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 1A TO126
Power - Max: 30 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Description: TRANS NPN 40V 1A TO126
Power - Max: 30 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
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| 2N4921G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 30W NPN
Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 30W NPN
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| 2N4921G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4921G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2N4921G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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| 2N4921G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT NPN 40V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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| 2N4921G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT NPN 40V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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