Technische Details 2N4953 MOTOROLA
Description: TRANS NPN 30V 1A TO-92-3, Power - Max: 625 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Supplier Device Package: TO-92-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 150mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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2N4953 | onsemi |
 Description: TRANS NPN 30V 1A TO-92-3Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: TO-92-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk |
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2N4953 | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose |
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| 2N4953 | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT |
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| 2N4953 |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 1A TO-92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Description: TRANS NPN 30V 1A TO-92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
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| 2N4953 |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
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| 2N4953 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT
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