2N4998 MOTOROLA

Hersteller: MOTOROLA

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Technische Details 2N4998 MOTOROLA

Description: POWER BJT, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud, Mounting Type: Stud Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 200µA, 1mA, Supplier Device Package: TO-59, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 35 W.

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	2N4998	Microchip Technology	Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 200µA, 1mA Supplier Device Package: TO-59 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 35 W	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
	2N4998	Microchip Technology	Bipolar Transistors - BJT Power BJT	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

2N4998

Hersteller: Microchip Technology
Description: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 200µA, 1mA
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 35 W

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2N4998

Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT

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