Technische Details 2N5006 MOTOROLA
Description: POWER BJT, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud, Mounting Type: Stud Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 500µA, 5mA, Supplier Device Package: TO-61, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 100 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N5006 | Microchip Technology |
Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 500µA, 5mA Supplier Device Package: TO-61 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 100 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| 2N5006 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
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| 2N5006 |
Hersteller: Microchip Technology
Description: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 500µA, 5mA
Supplier Device Package: TO-61
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 100 W
Description: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 500µA, 5mA
Supplier Device Package: TO-61
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
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| 2N5006 |
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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