Technische Details 2N5007 MOTOROLA
Description: POWER BJT, Power - Max: 100 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-61, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 5mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Stud Mount, Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N5007 | Microchip Technology |
Description: POWER BJT Power - Max: 100 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-61 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 5mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Stud Mount Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud Packaging: Bulk |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| 2N5007 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
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| 2N5007 |
Hersteller: Microchip Technology
Description: POWER BJT
Power - Max: 100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-61
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 5mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Stud Mount
Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Packaging: Bulk
Description: POWER BJT
Power - Max: 100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-61
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 5mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
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Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
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| 2N5007 |
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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