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2N5038G

2N5038G ON

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Produktcode: 67440
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Hersteller: ON
Gehäuse: TO-204
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 90 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 150 V
Kollektorstrom Ic, A: 20 A
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N5038G 2N5038G ON Semiconductor 2n5038d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 393 Stücke:
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51+12.96 EUR
100+12.13 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
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2N5038G 2N5038G ON Semiconductor 2n5038d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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2N5038G 2N5038G onsemi 2N5038-D.PDF Description: TRANS NPN 90V 20A TO204
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5A, 20A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 12A, 5V
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 140 W
auf Bestellung 476 Stücke:
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40+13.7 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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2N5038G 2N5038G onsemi 2N5038-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 20A 90V 140W NPN
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2N5038G 2N5038G ON Semiconductor 2n5038d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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8+23.38 EUR
11+16.31 EUR
26+14.9 EUR
50+13.73 EUR
100+12.13 EUR
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2N5038G 2N5038G ONSEMI ONSM-S-A0013339381-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5038G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 90 V, 20 A, 140 W, TO-204, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 20A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-204
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 90V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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2N5038G 2N5038G ON Semiconductor 2n5038d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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2N5038G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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2N5038G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 300 Stücke:
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2N5038G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 90V 20A TO204
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5A, 20A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 12A, 5V
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 140 W
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2N5038G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 20A 90V 140W NPN
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2N5038G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N5038G ONSM-S-A0013339381-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N5038G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5038G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 90 V, 20 A, 140 W, TO-204, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 20A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-204
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 90V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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10+26.01 EUR
12+19.71 EUR
16+14.05 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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2N5038G 2n5038d.pdf
2N5038G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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IRF9530NPBF
Produktcode: 32844
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irf9530n.pdf
IRF9530NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 500/25
Montage: THT
verfügbar: 14 St.
  • 14 St. - stock Köln
auf Bestellung: 348 St.
  • 348 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.77 EUR
100+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
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2N2907A [KSP2907A] (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 30196
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-39
Transitfrequenz fT: 200 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 60 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 A
Stromverstärkung h21: 150
Montage: THT
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11+0.12 EUR
13+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 11 St.
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BD139
Produktcode: 191983
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bd139.pdf BD135-D.PDF
BD139
Hersteller: CJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
Transitfrequenz fT: 190 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 В
Kollektorstrom Ic, A: 1,5 А
Stromverstärkung h21: 250
Montage: THT
erwartet: 1000 St.
  • 1000 St. - erwartet
auf Bestellung: 329 St.
  • 329 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.27 EUR
10+0.25 EUR
100+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222A (TO-18) (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 105921
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2n2222a-d-datasheet.pdf
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-18
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 75 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,8 А
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
1+1.69 EUR
10+1.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH