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2N5038G

2N5038G ON

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Produktcode: 67440
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Hersteller: ON
Gehäuse: TO-204
Uceo,V: 90 V
Ucbo,V: 150 V
Ic,A: 20 A
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N5038G 2N5038G ON Semiconductor 2n5038d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 393 Stücke:
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51+13.1 EUR
100+12.27 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
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2N5038G 2N5038G ON Semiconductor 2n5038d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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2N5038G 2N5038G onsemi 2n5038-d.pdf Description: TRANS NPN 90V 20A TO204
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5A, 20A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 12A, 5V
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 140 W
auf Bestellung 769 Stücke:
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40+13.42 EUR
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2N5038G 2N5038G onsemi 2N5038-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 20A 90V 140W NPN
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11+16.51 EUR
26+15.07 EUR
50+13.9 EUR
100+12.26 EUR
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2N5038G
Hersteller: ON Semiconductor
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2N5038G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 90V 20A TO204
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5A, 20A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 12A, 5V
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 140 W
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 20A 90V 140W NPN
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26+15.07 EUR
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2N2907A [KSP2907A] (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 30196
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-39
fT: 200 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 150
Montage: THT
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IRF9530NPBF
Produktcode: 32844
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irf9530n.pdf
IRF9530NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 500/25
Montage: THT
verfügbar: 422 St.
  • 14 St. - stock Köln
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BD139
Produktcode: 191983
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bd139.pdf BD135-D.PDF
BD139
Hersteller: CJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
Montage: THT
auf Bestellung 582 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N2222A (TO-18) (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 105921
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2n2222a-d-datasheet.pdf
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-18
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,8 A
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