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Technische Details 2N5077 GENERAL SEMI GSI
Description: TRANS 250V 3A TO59, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-210AA, TO-59-3, Stud, Mounting Type: Stud Mount, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 40MHz, Supplier Device Package: TO-59, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V, Power - Max: 40 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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| 2N5077 | Hersteller : General Semiconductor |
 Description: TRANS 250V 3A TO59Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-3, Stud Mounting Type: Stud Mount Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-59 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 40 W |
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| 2N5077 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 250V 3A TO-59 Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: NPN Supplier Device Package: TO-59 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 40 W |
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| 2N5077 | Hersteller : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |