2N5115E3 Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: JFET P-CH 30V TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15 mA @ 15 V
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Technische Details 2N5115E3 Microchip Technology
Description: JFET P-CH 30V TO18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), FET Type: P-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V, Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V, Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA), Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Power - Max: 500 mW, Resistance - RDS(On): 100 Ohms, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 nA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15 mA @ 15 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| 2N5115-E3 | Vishay Siliconix |
Description: JFET P-CH TO206AA Packaging: Tube Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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2N5115E3 | Microchip Technology |
JFETs JFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N5115E3 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; 30V; 15mA; 500mW Drain-source voltage: 30V Drain current: 15mA On-state resistance: 100Ω Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: 30V Type of transistor: P-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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2N5115E3 | Microchip Technology |
Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag |
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2N5115E3 | Microchip Technology |
Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag |
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Mindestbestellmenge: 19 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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2N5115E3 | Microchip Technology |
Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N5115-E3 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Description: JFET P-CH TO206AA
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| 2N5115E3 |
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Hersteller: Microchip Technology
JFETs JFET
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| 2N5115E3 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 30V; 15mA; 500mW
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15mA
On-state resistance: 100Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: 30V
Type of transistor: P-MOSFET
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 30V; 15mA; 500mW
Drain-source voltage: 30V
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| 2N5115E3 |
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Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
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| 2N5115E3 |
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