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Technische Details 2N5115E3 Microchip Technology
Description: JFET P-CH 30V TO18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), FET Type: P-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V, Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V, Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA), Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Power - Max: 500 mW, Resistance - RDS(On): 100 Ohms, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 nA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15 mA @ 15 V.
Weitere Produktangebote 2N5115E3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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2N5115E3 | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N5115E3 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag |
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2N5115E3 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag |
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2N5115-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans JFET P-CH 3-Pin TO-206AA |
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2N5115E3 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: JFET P-CH 30V TO18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 500 mW Resistance - RDS(On): 100 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15 mA @ 15 V |
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| 2N5115-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: JFET P-CH TO206AA Packaging: Tube Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) |
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