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Technische Details 2N5115E3 Microchip Technology
Description: JFET P-CH 30V TO18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), FET Type: P-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V, Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V, Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA), Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Power - Max: 500 mW, Resistance - RDS(On): 100 Ohms, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 nA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15 mA @ 15 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
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2N5115E3 | Microchip Technology |
Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 19 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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2N5115E3 | Microchip Technology |
Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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2N5115E3 | Microchip Technology |
Description: JFET P-CH 30V TO18Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 500 mW Resistance - RDS(On): 100 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15 mA @ 15 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N5115-E3 | Vishay Siliconix |
Description: JFET P-CH TO206AA Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N5115E3 |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
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| 2N5115E3 |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
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| 2N5115E3 |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: JFET P-CH 30V TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15 mA @ 15 V
Description: JFET P-CH 30V TO18
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Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
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FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 500 mW
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Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15 mA @ 15 V
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| 2N5115-E3 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: JFET P-CH TO206AA
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Tube
Description: JFET P-CH TO206AA
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
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Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Tube
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