2N5116 Central Semiconductor Corp
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Description: JFET P-CH 30V TO18
Packaging: Box
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 150 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V
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Technische Details 2N5116 Central Semiconductor Corp
Description: JFET P-CH 30V TO18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), FET Type: P-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 15V, Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V, Supplier Device Package: TO-18, Grade: Military, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Power - Max: 500 mW, Resistance - RDS(On): 175 Ohms, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 1 nA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 15 V, Qualification: MIL-PRF-19500.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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2N5116 | Microchip Technology |
Description: JFET P-CH 30V TO18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: TO-18 Grade: Military Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 500 mW Resistance - RDS(On): 175 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 15 V Qualification: MIL-PRF-19500 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N5116 | Vishay Siliconix |
Description: JFET P-CH TO206AA Packaging: Tube Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) |
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Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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2N5116 | InterFET |
JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N5116 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; 30V; 25mA; 500mW Drain-source voltage: 30V Drain current: 25mA On-state resistance: 175Ω Power dissipation: 0.5W Type of transistor: P-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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2N5116 | Microchip Technology |
Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag |
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Mindestbestellmenge: 19 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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2N5116 | Microchip Technology |
Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag |
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Mindestbestellmenge: 19 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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2N5116 | Microchip Technology |
Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N5116 |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: JFET P-CH 30V TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18
Grade: Military
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 175 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 15 V
Qualification: MIL-PRF-19500
Description: JFET P-CH 30V TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18
Grade: Military
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 175 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 15 V
Qualification: MIL-PRF-19500
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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| 2N5116 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Description: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
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Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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| 2N5116 |
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Hersteller: InterFET
JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise
JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise
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| 2N5116 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 30V; 25mA; 500mW
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25mA
On-state resistance: 175Ω
Power dissipation: 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 30V; 25mA; 500mW
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25mA
On-state resistance: 175Ω
Power dissipation: 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
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| 2N5116 |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
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| 2N5116 |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
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| 2N5116 |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Stück im Wert von UAH