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2N5116

2N5116 InterFET

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Hersteller: InterFET
JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise
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Technische Details 2N5116 InterFET

Description: JFET P-CH 30V TO18, Qualification: MIL-PRF-19500, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 15 V, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 1 nA, Resistance - RDS(On): 175 Ohms, Power - Max: 500 mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Grade: Military, Supplier Device Package: TO-18, Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 15V, FET Type: P-Channel, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Packaging: Bulk.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N5116 2N5116 Central Semiconductor Corp 2N5114-5116.PDF Description: JFET P-CH 30V TO18
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: TO-18
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
FET Type: P-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Box
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA
Resistance - RDS(On): 150 Ohms
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2N5116 2N5116 Microchip Technology 124387-lds-0006 Description: JFET P-CH 30V TO18
Qualification: MIL-PRF-19500
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 1 nA
Resistance - RDS(On): 175 Ohms
Power - Max: 500 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Grade: Military
Supplier Device Package: TO-18
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 15V
FET Type: P-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
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2N5116 Vishay Siliconix 2N5114-5116.PDF 124387-lds-0006 Description: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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2N5116 2N5116 Microchip Technology LDS-0006_2N5114-16.pdf JFETs JFET
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2N5116 2N5116 Microchip Technology lds-0006.pdf Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
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2N5116 2N5116 Microchip Technology lds-0006.pdf Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
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2N5116 2N5114-5116.PDF
2N5116
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Description: JFET P-CH 30V TO18
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: TO-18
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
FET Type: P-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Box
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA
Resistance - RDS(On): 150 Ohms
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2N5116 124387-lds-0006
2N5116
Hersteller: Microchip Technology
Description: JFET P-CH 30V TO18
Qualification: MIL-PRF-19500
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 1 nA
Resistance - RDS(On): 175 Ohms
Power - Max: 500 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Grade: Military
Supplier Device Package: TO-18
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 15V
FET Type: P-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
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2N5116 2N5114-5116.PDF 124387-lds-0006
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
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2N5116 LDS-0006_2N5114-16.pdf
2N5116
Hersteller: Microchip Technology
JFETs JFET
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2N5116
Hersteller: Microchip Technology
Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N5116
Hersteller: Microchip Technology
Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
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