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Technische Details 2N5151 Microchip Technology
Description: TRANS PNP 80V 2A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V, Supplier Device Package: TO-39, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1 W, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/545.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| 2N5151 | Hersteller : MOT |
 CAN |
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| 2N5151 | Hersteller : MOTOROLA |
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auf Bestellung 8800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N5151 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
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2N5151 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N5151 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 80V 2A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/545 |
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2N5151 | Hersteller : TT Electronics - IoT Solutions |
Bipolar Transistors - BJT |
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| 2N5151 | Hersteller : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 2N5151 | Hersteller : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |