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Technische Details 2N5192 ST
Description: TRANS NPN 80V 4A SOT-32-3, Power - Max: 40 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: SOT-32-3, Frequency - Transition: 2MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Packaging: Tube.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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2N5192 | STMicroelectronics |
 Description: TRANS NPN 80V 4A SOT-32-3Power - Max: 40 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-32-3 Frequency - Transition: 2MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Tube |
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| 2N5192 | Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT |
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2N5192 | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W NPN |
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2N5192 | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN Power Switching |
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| 2N5192 | Vishay Semiconductors |
Bipolar Transistors - BJT |
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| 2N5192 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 4A SOT-32-3
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-32-3
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
Description: TRANS NPN 80V 4A SOT-32-3
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-32-3
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
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Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W NPN
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Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Power Switching
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Hersteller: Vishay Semiconductors
Bipolar Transistors - BJT
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