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2N5192G

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Produktcode: 178450
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N5192G 2N5192G ONSEMI 2N5191.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 80V
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 20...80
Kind of package: bulk
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector current: 4A
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+1.04 EUR
110+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
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2N5192G 2N5192G ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.27 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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2N5192G 2N5192G ONSEMI ONSM-S-A0013776772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5192G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.94 EUR
177+1.31 EUR
199+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
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2N5192G 2N5192G onsemi 2N5191-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W NPN
auf Bestellung 3092 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.62 EUR
10+1.73 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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2N5192G 2N5192G onsemi 2N5191-D.PDF Description: TRANS NPN 80V 4A TO-126
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
auf Bestellung 5351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.78 EUR
12+1.76 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
2000+0.77 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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2N5192G 2N5192G ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 80 Stücke:
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2N5192G 2N5192G ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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2N5192G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 80V
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 20...80
Kind of package: bulk
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector current: 4A
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
82+1.04 EUR
110+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
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2N5192G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+1.27 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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2N5192G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5192G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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177+1.31 EUR
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Mindestbestellmenge: 129 Stücke
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2N5192G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W NPN
auf Bestellung 3092 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.62 EUR
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100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
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2N5192G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 4A TO-126
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
auf Bestellung 5351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.78 EUR
12+1.76 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
2000+0.77 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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2N5192G 2n5191-d.pdf
2N5192G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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