2N5195G ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 414+ | 0.36 EUR |
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Technische Details 2N5195G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N5195G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote 2N5195G nach Preis ab 0.57 EUR bis 2.20 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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2N5195G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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2N5195G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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2N5195G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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2N5195G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225 Case: TO225 Frequency: 2MHz Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 20...80 Collector current: 4A Type of transistor: PNP Power dissipation: 40W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 358 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N5195G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225 Case: TO225 Frequency: 2MHz Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 20...80 Collector current: 4A Type of transistor: PNP Power dissipation: 40W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Mounting: THT |
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2N5195G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W PNP |
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2N5195G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 4A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W |
auf Bestellung 408 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5195G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5195G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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2N5195G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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2N5195G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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2N5195G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5195G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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2N5195G Produktcode: 154610
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP |
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Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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