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2N5195G

2N5195G ON Semiconductor

2n5194-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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Technische Details 2N5195G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N5195G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2N5195G 2N5195G Hersteller : ON Semiconductor 2n5194-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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2N5195G 2N5195G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABC9AE8AEE0B0A0C7&compId=2N5194.PDF?ci_sign=5366dd4e8184c4be7b86d21d595e6677d1a30b1c Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 20...80
Collector current: 4A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 20...80
Collector current: 4A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
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2N5195G 2N5195G Hersteller : onsemi 2N5194_D-1801382.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W PNP
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2N5195G 2N5195G Hersteller : onsemi 2n5194-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
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13+1.39 EUR
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2N5195G 2N5195G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013339493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5195G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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2N5195G 2N5195G Hersteller : ON Semiconductor 2n5194-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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2N5195G 2N5195G Hersteller : ON Semiconductor 2n5194-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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Produktcode: 154610
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