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2N5195G

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Produktcode: 154610
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N5195G 2N5195G ON Semiconductor 2n5194-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 542 Stücke:
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2N5195G 2N5195G ON Semiconductor 2n5194-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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500+0.98 EUR
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2N5195G 2N5195G onsemi 2N5194-D.PDF Description: TRANS PNP 80V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 1136 Stücke:
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8+2.78 EUR
12+1.75 EUR
100+1.17 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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2N5195G 2N5195G onsemi 2N5194-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W PNP
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10+1.78 EUR
100+1.17 EUR
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2N5195G 2N5195G ONSEMI ONSM-S-A0013339493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5195G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+3.05 EUR
130+1.8 EUR
195+1.09 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
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2N5195G 2N5195G ONSEMI 2N5194.PDF Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 20...80
Mounting: THT
Frequency: 2MHz
Kind of package: bulk
auf Bestellung 283 Stücke:
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2N5195G 2N5195G ON Semiconductor 2n5194-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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2N5195G 2N5195G ON Semiconductor 2n5194-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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2N5195G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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416+0.43 EUR
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2N5195G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N5195G
Hersteller: ON Semiconductor
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2N5195G
Hersteller: ON Semiconductor
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2N5195G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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1000+0.95 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
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auf Bestellung 1236 Stücke:
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157+1.14 EUR
185+0.93 EUR
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2N5195G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 1136 Stücke:
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8+2.78 EUR
12+1.75 EUR
100+1.17 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.83 EUR
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2N5195G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W PNP
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10+1.78 EUR
100+1.17 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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2N5195G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5195G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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AnzahlPrivatkunde
82+3.05 EUR
130+1.8 EUR
195+1.09 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
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2N5195G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 20...80
Mounting: THT
Frequency: 2MHz
Kind of package: bulk
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2N5195G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N5195G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 41 Stücke:
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