2N5195G ON Semiconductor
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Technische Details 2N5195G ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 4A TO126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V, Frequency - Transition: 2MHz, Supplier Device Package: TO-126, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 40 W.
Weitere Produktangebote 2N5195G nach Preis ab 0.58 EUR bis 2.08 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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2N5195G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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2N5195G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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2N5195G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 4A Power dissipation: 40W Case: TO225 Current gain: 7...100 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 2MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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2N5195G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 4A Power dissipation: 40W Case: TO225 Current gain: 7...100 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 2MHz |
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2N5195G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W PNP |
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2N5195G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W |
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2N5195G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5195G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 40W euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false Übergangsfrequenz: 2MHz rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 4A |
auf Bestellung 4552 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5195G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5195G Produktcode: 154610 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP |
Produkt ist nicht verfügbar
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2N5195G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N5195G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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