2N5286 Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: POWER BJT
Power - Max: 50 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-59
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 5mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Stud Mount
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Packaging: Bulk
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Technische Details 2N5286 Microchip Technology
Description: POWER BJT, Power - Max: 50 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-59, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 5mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Stud Mount, Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N5286 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N5286 |
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor
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