2N5301 NTE Electronics, Inc
Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN 40V 30A TO3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 6A, 30A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bag
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 7.46 EUR |
| 10+ | 7.09 EUR |
| 20+ | 6.72 EUR |
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Technische Details 2N5301 NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN 40V 30A TO3, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 6A, 30A, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Packaging: Bag, Power - Max: 200 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-3, Frequency - Transition: 2MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 5mA.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N5301 | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| 2N5301 | Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N5301 |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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| 2N5301 |
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Hersteller: Microsemi
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