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Technische Details 2N5301 Microchip Technology
Description: MULTICOMP - 2N5301 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 30 A, 200 W, TO-3, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, DC-Stromverstärkung hFE: 40, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 30, MSL: -, Verlustleistung: 200, Bauform - Transistor: TO-3, Anzahl der Pins: 2, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 2, Betriebstemperatur, max.: 200, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote 2N5301
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N5301 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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2N5301 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT |
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2N5301 | MULTICOMP |
 Description: MULTICOMP - 2N5301 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 30 A, 200 W, TO-3, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 40 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 30 MSL: - Verlustleistung: 200 Bauform - Transistor: TO-3 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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| 2N5301 |
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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| 2N5301 |
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT
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| 2N5301 |
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Hersteller: MULTICOMP
Description: MULTICOMP - 2N5301 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 30 A, 200 W, TO-3, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30
MSL: -
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: MULTICOMP - 2N5301 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 30 A, 200 W, TO-3, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30
MSL: -
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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