2N5301 NTE Electronics, Inc
Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN 40V 30A TO3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 6A, 30A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bag
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
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Technische Details 2N5301 NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN 40V 30A TO3, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 6A, 30A, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Packaging: Bag, Power - Max: 200 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-3, Frequency - Transition: 2MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 5mA.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N5301 | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| 2N5301 | Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
 |
2N5301 | MULTICOMP |
Description: MULTICOMP - 2N5301 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 30 A, 200 W, TO-3, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 40 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 30 MSL: - Verlustleistung: 200 Bauform - Transistor: TO-3 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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| 2N5301 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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| 2N5301 |
|
Hersteller: Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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| 2N5301 |
|
Hersteller: MULTICOMP
Description: MULTICOMP - 2N5301 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 30 A, 200 W, TO-3, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30
MSL: -
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: MULTICOMP - 2N5301 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 30 A, 200 W, TO-3, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30
MSL: -
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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