2N5302G ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5302G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 30 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 2
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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Technische Details 2N5302G ONSEMI
Description: TRANS NPN 60V 30A TO204, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Packaging: Bulk, Power - Max: 200 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-204 (TO-3), Frequency - Transition: 2MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 5mA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 6A, 30A.
Weitere Produktangebote 2N5302G nach Preis ab 8.32 EUR bis 9.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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2N5302G | onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 30A TO204 Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk Power - Max: 200 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Frequency - Transition: 2MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 5mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 6A, 30A |
auf Bestellung 1330 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5302G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
auf Bestellung 603 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5302G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5302G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 30A 60V 200W NPN |
auf Bestellung 121 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N5302G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 30A TO204
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 6A, 30A
Description: TRANS NPN 60V 30A TO204
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 6A, 30A
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 67+ | 9.01 EUR |
| 2N5302G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Trans GP BJT NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 71+ | 9.37 EUR |
| 100+ | 8.87 EUR |
| 500+ | 8.32 EUR |
| 2N5302G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Trans GP BJT NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 71+ | 9.37 EUR |
| 100+ | 8.87 EUR |
| 500+ | 8.32 EUR |
| 2N5302G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 30A 60V 200W NPN
Bipolar Transistors - BJT 30A 60V 200W NPN
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)