2N5322E3 Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: POWER BJT
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: TO-5AA
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
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Technische Details 2N5322E3 Microchip Technology
Description: POWER BJT, Power - Max: 10 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Supplier Device Package: TO-5AA, Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N5322E3 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N5322E3 |
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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Im Einkaufswagen
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