2N5326 MOTOROLA

Hersteller: MOTOROLA

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Technische Details 2N5326 MOTOROLA

Description: POWER BJT, Power - Max: 30 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Supplier Device Package: TO-111, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500µA, 1mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Stud Mount, Package / Case: TO-111-4, Stud, Packaging: Bulk.

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	2N5326	Microchip Technology	Description: POWER BJT Power - Max: 30 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: TO-111 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500µA, 1mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Stud Mount Package / Case: TO-111-4, Stud Packaging: Bulk	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
	2N5326	Microchip Technology	Bipolar Transistors - BJT Power BJT	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

2N5326

Hersteller: Microchip Technology
Description: POWER BJT
Power - Max: 30 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TO-111
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500µA, 1mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Stud Mount
Package / Case: TO-111-4, Stud
Packaging: Bulk

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2N5326

Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT

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