Technische Details 2N5339 Microchip Technology
Description: NPN TRANSISTOR, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Supplier Device Package: TO-39, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C, Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Packaging: Bulk.
Weitere Produktangebote 2N5339 nach Preis ab 63.96 EUR bis 68.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N5339 | Microchip Technology |
 Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||
| 2N5339 | MOTOROLA |
|
auf Bestellung 5680 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N5339 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 68.89 EUR |
| 100+ | 63.96 EUR |
| 2N5339 |
|
Hersteller: MOTOROLA
auf Bestellung 5680 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)