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Technische Details 2N5339 Microchip Technology
Description: NPN TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V, Supplier Device Package: TO-39, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| 2N5339 | Hersteller : MOT |
 03+ QFP |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2N5339 | Hersteller : MOT |
CAN |
auf Bestellung 591 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2N5339 | Hersteller : MOTOROLA |
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auf Bestellung 5680 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N5339 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 100V 5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N5339 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 100V 5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
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2N5339 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 100V 5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N5339 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: NPN TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W |
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2N5339 | Hersteller : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |