2N5339 Microchip Technology
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Technische Details 2N5339 Microchip Technology
Description: NPN TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V, Supplier Device Package: TO-39, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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2N5339 | Microchip Technology |
 Description: NPN TRANSISTORPackaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W |
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2N5339 | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT |
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2N5339 | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 100V 5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
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2N5339 | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 100V 5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
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| 2N5339 |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Description: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
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Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT
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Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 100V 5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
Trans GP BJT NPN 100V 5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
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Trans GP BJT NPN 100V 5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
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