Technische Details 2N5405 MOTOROLA
Description: POWER BJT, Power - Max: 7.5 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Supplier Device Package: TO-5AA, Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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2N5405 | Microchip Technology |
Description: POWER BJT Power - Max: 7.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: TO-5AA Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N5405 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
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| 2N5405 |
Hersteller: Microchip Technology
Description: POWER BJT
Power - Max: 7.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TO-5AA
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Description: POWER BJT
Power - Max: 7.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TO-5AA
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
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| 2N5405 |
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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