Technische Details 2N5409 MOTOROLA
Description: POWER BJT, Mounting Type: Stud Mount, Power - Max: 52 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Supplier Device Package: TO-111, Transistor Type: PNP, Package / Case: TO-111-4, Stud, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N5409 | Microchip Technology |
Description: POWER BJT Mounting Type: Stud Mount Power - Max: 52 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: TO-111 Transistor Type: PNP Package / Case: TO-111-4, Stud Packaging: Bulk |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| 2N5409 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
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| 2N5409 |
Hersteller: Microchip Technology
Description: POWER BJT
Mounting Type: Stud Mount
Power - Max: 52 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TO-111
Transistor Type: PNP
Package / Case: TO-111-4, Stud
Packaging: Bulk
Description: POWER BJT
Mounting Type: Stud Mount
Power - Max: 52 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TO-111
Transistor Type: PNP
Package / Case: TO-111-4, Stud
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| 2N5409 |
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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