2N5411 MOTOROLA

Hersteller: MOTOROLA

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Technische Details 2N5411 MOTOROLA

Description: POWER BJT, Power - Max: 52 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Supplier Device Package: TO-111, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200µA, 2mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Stud Mount, Package / Case: TO-111-4, Stud, Packaging: Bulk.

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	2N5411	Microchip Technology	Description: POWER BJT Power - Max: 52 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: TO-111 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200µA, 2mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Stud Mount Package / Case: TO-111-4, Stud Packaging: Bulk	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
	2N5411	Microchip Technology	Bipolar Transistors - BJT Power BJT	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

2N5411

Hersteller: Microchip Technology
Description: POWER BJT
Power - Max: 52 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TO-111
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200µA, 2mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Stud Mount
Package / Case: TO-111-4, Stud
Packaging: Bulk

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2N5411

Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT

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