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2N5550TFR

2N5550TFR ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
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Technische Details 2N5550TFR ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V, Power - Max: 625 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N5550TFR 2N5550TFR ON Semiconductor 2n5550jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
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2N5550TFR 2N5550TFR ON Semiconductor 2n5550jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
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2N5550TFR 2N5550TFR ON Semiconductor 2n5550jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
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2N5550TFR 2N5550TFR Fairchild Semiconductor 2n5550-d.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
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2N5550TFR 2N5550TFR onsemi 2N5550-D.PDF Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
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2N5550TFR 2N5550TFR ONSEMI 2N5550-D.PDF 2n5550-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 50...200
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
auf Bestellung 1274 Stücke:
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278+0.31 EUR
439+0.19 EUR
642+0.13 EUR
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879+0.096 EUR
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2N5550TFR 2N5550TFR onsemi 2N5550-D.PDF 2n5550-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 5891 Stücke:
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2N5550TFR 2N5550TFR onsemi 2N5550-D.PDF Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
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Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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auf Bestellung 12000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2218+0.08 EUR
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Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 113792 Stücke:
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5275+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5275 Stücke
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 16000 Stücke:
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4000+0.099 EUR
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Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 50...200
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
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AnzahlPrivatkunde
278+0.31 EUR
439+0.19 EUR
642+0.13 EUR
736+0.12 EUR
879+0.096 EUR
1005+0.084 EUR
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 5891 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
7+0.54 EUR
11+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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2N5550TFR
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 16985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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65+0.32 EUR
104+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
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