2N5550TFR

2N5550TFR ON Semiconductor


2n5550-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2968+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2968
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details 2N5550TFR ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V, Power - Max: 625 mW.

Weitere Produktangebote 2N5550TFR nach Preis ab 0.04 EUR bis 0.44 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
2N5550TFR 2N5550TFR Hersteller : ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 9590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3216+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3216
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TFR 2N5550TFR Hersteller : ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2009+0.07 EUR
6000+0.07 EUR
10000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2009
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TFR 2N5550TFR Hersteller : Fairchild Semiconductor 2n5550-d.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 112874 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6368+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6368
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TFR 2N5550TFR Hersteller : onsemi 2N5550-D.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.10 EUR
4000+0.09 EUR
6000+0.08 EUR
10000+0.07 EUR
14000+0.07 EUR
20000+0.07 EUR
50000+0.06 EUR
100000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TFR 2N5550TFR Hersteller : ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 9590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.15 EUR
1701+0.08 EUR
2552+0.05 EUR
3216+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TFR 2N5550TFR Hersteller : onsemi / Fairchild 2N5550-D.pdf 2n5550-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 8969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+0.37 EUR
13+0.22 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.10 EUR
2000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TFR 2N5550TFR Hersteller : onsemi 2N5550-D.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 101585 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+0.44 EUR
67+0.26 EUR
107+0.16 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TFR 2N5550TFR Hersteller : ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TFR 2N5550TFR Hersteller : ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TFR 2N5550TFR Hersteller : ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TFR 2N5550TFR Hersteller : ONSEMI 2N5550-D.pdf 2n5550-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 50...200
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TFR 2N5550TFR Hersteller : ONSEMI 2N5550-D.pdf 2n5550-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 50...200
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH