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2N5551RLRPG

2N5551RLRPG ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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Technische Details 2N5551RLRPG ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 625 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N5551RLRPG 2N5551RLRPG ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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2N5551RLRPG 2N5551RLRPG onsemi 2n5551t-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
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Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
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