2N5551TA ON Semiconductor
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2075+ | 0.07 EUR |
| 6000+ | 0.063 EUR |
| 10000+ | 0.06 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details 2N5551TA ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N5551TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote 2N5551TA nach Preis ab 0.047 EUR bis 0.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N5551TA | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 625 mW |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
2N5551TA | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 100MHz Current gain: 80...250 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1854 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
2N5551TA | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 100MHz Current gain: 80...250 |
auf Bestellung 1854 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
2N5551TA | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
2N5551TA | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose |
auf Bestellung 10778 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
2N5551TA | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 625 mW |
auf Bestellung 2446 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
2N5551TA | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5551TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 9132 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
2N5551TA | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
auf Bestellung 34000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
2N5551TA | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
2N5551TA | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
Produkt ist nicht verfügbar |




