2N5582 Microchip Technology
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 28.2 EUR |
| 10+ | 27.38 EUR |
| 30+ | 26.39 EUR |
| 60+ | 19.68 EUR |
| 90+ | 17.99 EUR |
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Technische Details 2N5582 Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO46-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-46-3, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 500 mW.
Weitere Produktangebote 2N5582
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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2N5582 | Microchip Technology |
 Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO46-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-46-3 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
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Mindestbestellmenge: 114 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N5582 | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 50V Small-Signal BJT THT |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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2N5582 | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-46 Bag |
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| 2N5582 |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO46-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-46-3
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO46-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-46-3
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
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| 2N5582 |
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Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 50V Small-Signal BJT THT
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| 2N5582 |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-46 Bag
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-46 Bag
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