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2N5610 NEC


Hersteller: NEC
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Technische Details 2N5610 NEC

Description: POWER BJT, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 2.5mA, Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA), Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 25 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
2N5610 Microchip Technology Description: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 2.5mA
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
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2N5610 Microchip Technology Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5610
Hersteller: Microchip Technology
Description: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 2.5mA
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
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2N5610
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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