2N5657
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Technische Details 2N5657
Description: TRANS NPN 350V 0.5A SOT32-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10V, Frequency - Transition: 10MHz, Supplier Device Package: SOT-32-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Power - Max: 20 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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2N5657 | STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 350V 0.5A SOT32-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: SOT-32-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 20 W |
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2N5657 | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 1A 250V 20W NPN |
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2N5657 | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN Fast Switching |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 350V 0.5A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 20 W
Description: TRANS NPN 350V 0.5A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Obsolete
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Bipolar Transistors - BJT 1A 250V 20W NPN
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Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Fast Switching
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