Technische Details 2N5661 MOTOROLA
Description: TRANS NPN 300V 2A TO66, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 400mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 200nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 5V, Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA), Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 2 W.
Weitere Produktangebote 2N5661
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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2N5661 | Microchip Technology |
 Trans GP BJT NPN 300V 2A 2000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N5661 | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 300V 2A TO66 Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 400mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 200nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 5V Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 2 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| 2N5661 | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 300V 2A 2W NPN Power BJT THT |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N5661 |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 300V 2A 2000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray
Trans GP BJT NPN 300V 2A 2000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray
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Im Einkaufswagen
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| 2N5661 |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 300V 2A TO66
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 5V
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 300V 2A TO66
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 5V
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 2 W
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| 2N5661 |
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Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 300V 2A 2W NPN Power BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 300V 2A 2W NPN Power BJT THT
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