2N5682 MULTICOMP PRO
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N5682 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 1 A, 1 W, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
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rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-39
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Transistor
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
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Technische Details 2N5682 MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N5682 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 1 A, 1 W, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: NO, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: NO, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-39, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Transistor, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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2N5682 | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 33 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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2N5682 | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N5682 | ONS/FAI |
Транзистори |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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2N5682 | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 120V 1A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 1 W |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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2N5682 | onsemi |
Description: TRANS NPN 120V 1A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 1 W |
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| 2N5682 | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
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| 2N5682 | onsemi |
onsemi |
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| 2N5682 | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT |
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2N5682 | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN Power Switching |
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| 2N5682 | Vishay Semiconductors |
Bipolar Transistors - BJT |
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| 2N5682 |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
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| 2N5682 |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
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Hersteller: ONS/FAI
Транзистори
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| 2N5682 |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 120V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 120V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1 W
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| 2N5682 |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 120V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 120V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1 W
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Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT
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Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Power Switching
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| 2N5682 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
Bipolar Transistors - BJT
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