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2N5883G onsemi

Name: 2N5883G
Brand: onsemi
SKU: 38210745-3
Price: 455.76 EUR
Availability: InStock

Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 25A TO204
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 W

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Technische Details 2N5883G onsemi

Description: TRANS PNP 60V 25A TO204, Power - Max: 200 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 25 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-204 (TO-3), Frequency - Transition: 4MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V, Current - Collector Cutoff (Max): 2mA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Packaging: Tray.

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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
2N5883G	onsemi	Description: TRANS PNP 60V 25A TO204 Power - Max: 200 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Frequency - Transition: 4MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 2mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Tray	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2N5883G	onsemi	Bipolar Transistors - BJT 25A 60V 200W PNP	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2N5883G	ONSEMI	Description: ONSEMI - 2N5883G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 25 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 4 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 200 Übergangsfrequenz ft: 4 Bauform - Transistor: TO-204 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: 2NXXXX Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 25 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: Lead (25-Jun-2020)	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2N5883G	ON Semiconductor	Trans GP BJT PNP 60V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

2N5883G

Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 25A TO204
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Tray

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2N5883G

Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 25A 60V 200W PNP

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2N5883G

Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5883G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 25 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 4
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-204
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (25-Jun-2020)

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Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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2N5883G

Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray

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