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2N5885G

2N5885G ON Semiconductor

2n5883-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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Technische Details 2N5885G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 60V 25A TO204, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A, Current - Collector Cutoff (Max): 2mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: TO-204 (TO-3), Current - Collector (Ic) (Max): 25 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 200 W.

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2N5885G 2N5885G Hersteller : onsemi 2n5883-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 25A TO204
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 W
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2N5885G 2N5885G Hersteller : ON Semiconductor 2n5883-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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2N5885G 2N5885G Hersteller : ONSEMI 112520.pdf Description: ONSEMI - 2N5885G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 25 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 4
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-204
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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2N5885G 2N5885G Hersteller : onsemi 2n5883-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 25A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 W
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2N5885G 2N5885G Hersteller : onsemi 2N5883_D-2309384.pdf Bipolar Transistors - BJT 25A 60V 200W NPN
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