2N5958 Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: POWER BJT
Power - Max: 175 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Supplier Device Package: TO-61
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Stud Mount
Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Packaging: Bulk
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Technische Details 2N5958 Microchip Technology
Description: POWER BJT, Power - Max: 175 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Supplier Device Package: TO-61, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Stud Mount, Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N5958 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N5958 |
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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Im Einkaufswagen
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