2N5962
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Technische Details 2N5962
Description: TRANS NPN 45V 0.1A TO92-3, Power - Max: 625 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: TO-92-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 600 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 2nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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2N5962 | onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A TO92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: TO-92-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 600 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 2nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk |
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2N5962 | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose |
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2N5962 | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.1A TO92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 600 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 2nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Description: TRANS NPN 45V 0.1A TO92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 600 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 2nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
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Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
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