2N5970 Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: POWER BJT
Power - Max: 85 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
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Technische Details 2N5970 Microchip Technology
Description: POWER BJT, Power - Max: 85 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 15 A, Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3), Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N5970 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N5970 |
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
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