2N6028 APM PBFREE Central Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.87 EUR |
| 10+ | 4.5 EUR |
| 100+ | 3.31 EUR |
| 500+ | 2.95 EUR |
| 1000+ | 2.51 EUR |
| 2000+ | 2.43 EUR |
| 4000+ | 2.39 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details 2N6028 APM PBFREE Central Semiconductor
Description: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Voltage - Output: 6V, Voltage: 40V, Current - Peak: 150 nA, Voltage - Offset (Vt): 600 mV, Current - Valley (Iv): 25 µA, Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA, Power Dissipation (Max): 300 mW.
Weitere Produktangebote 2N6028 APM PBFREE
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
|
2N6028 APM PBFREE | Central Semiconductor |
Silicon Programmable Unijunction Transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N6028 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJTPackaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Voltage - Output: 6V Voltage: 40V Current - Peak: 150 nA Voltage - Offset (Vt): 600 mV Current - Valley (Iv): 25 µA Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N6028 APM PBFREE |
![]() |
Hersteller: Central Semiconductor
Silicon Programmable Unijunction Transistors
Silicon Programmable Unijunction Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2N6028 APM PBFREE |
![]() |
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Description: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 6V
Voltage: 40V
Current - Peak: 150 nA
Voltage - Offset (Vt): 600 mV
Current - Valley (Iv): 25 µA
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
Description: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 6V
Voltage: 40V
Current - Peak: 150 nA
Voltage - Offset (Vt): 600 mV
Current - Valley (Iv): 25 µA
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH


