Technische Details 2N6028 TIN/LEAD Central Semiconductor
Description: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT, Packaging: Box, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Voltage - Output: 6V, Voltage: 40V, Current - Peak: 150 nA, Voltage - Offset (Vt): 600 mV, Current - Valley (Iv): 25 µA, Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA, Power Dissipation (Max): 300 mW.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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2N6028 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp |
Description: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Voltage - Output: 6V Voltage: 40V Current - Peak: 150 nA Voltage - Offset (Vt): 600 mV Current - Valley (Iv): 25 µA Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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2N6028 TIN/LEAD | Central Semiconductor |
 Bipolar Transistors - BJT Prog Uni-Junction 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vg |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N6028 TIN/LEAD |
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Description: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Voltage - Output: 6V
Voltage: 40V
Current - Peak: 150 nA
Voltage - Offset (Vt): 600 mV
Current - Valley (Iv): 25 µA
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
Description: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Voltage - Output: 6V
Voltage: 40V
Current - Peak: 150 nA
Voltage - Offset (Vt): 600 mV
Current - Valley (Iv): 25 µA
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
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Im Einkaufswagen
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| 2N6028 TIN/LEAD |
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Hersteller: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT Prog Uni-Junction 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vg
Bipolar Transistors - BJT Prog Uni-Junction 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vg
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