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2N6028G On Semiconductor

Hersteller: On Semiconductor
Программируемый однопереходный транзистор (PUT), 40V, 0.3Вт, TO-92 Транзистори

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Technische Details 2N6028G On Semiconductor

Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Voltage - Output: 11V, Voltage: 40V, Current - Peak: 150 nA, Voltage - Offset (Vt): 600 mV, Current - Valley (Iv): 25 µA, Part Status: Obsolete, Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA, Power Dissipation (Max): 300 mW.

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	2N6028G	onsemi	Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Voltage - Output: 11V Voltage: 40V Current - Peak: 150 nA Voltage - Offset (Vt): 600 mV Current - Valley (Iv): 25 µA Part Status: Obsolete Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
	2N6028G	onsemi	Bipolar Transistors - BJT 40V 300mW PUT	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

2N6028G

Hersteller: onsemi
Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 150 nA
Voltage - Offset (Vt): 600 mV
Current - Valley (Iv): 25 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW

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2N6028G

Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 40V 300mW PUT

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