2N6028RLRAG On Semiconductor
Hersteller: On Semiconductor
Программируемый однопереходный транзистор (PUT), 40V, 0.3Вт, TO-92 Транзистори
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Technische Details 2N6028RLRAG On Semiconductor
Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Voltage - Output: 11V, Voltage: 40V, Current - Peak: 150 nA, Voltage - Offset (Vt): 600 mV, Current - Valley (Iv): 25 µA, Part Status: Obsolete, Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA, Power Dissipation (Max): 300 mW.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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2N6028RLRAG | onsemi |
Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Voltage - Output: 11V Voltage: 40V Current - Peak: 150 nA Voltage - Offset (Vt): 600 mV Current - Valley (Iv): 25 µA Part Status: Obsolete Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW |
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| 2N6028RLRAG |
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Hersteller: onsemi
Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 150 nA
Voltage - Offset (Vt): 600 mV
Current - Valley (Iv): 25 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 150 nA
Voltage - Offset (Vt): 600 mV
Current - Valley (Iv): 25 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
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