2N6036G ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N6036G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 1.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Verlustleistung Pd: 1.5
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-225
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Technische Details 2N6036G ONSEMI
Description: TRANS PNP DARL 80V 4A TO-126, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-126, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 40 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Transistor Type: PNP - Darlington, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| 2N6036G | On Semiconductor |
TRANS PNP DARL 80V 4A TO225AA (замена BD170) Транзистори |
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| 2N6036G | On Semiconductor |
TRANS PNP DARL 80V 4A TO225AA Транзистори |
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2N6036G | onsemi |
Description: TRANS PNP DARL 80V 4A TO-126 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-126 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 40 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Transistor Type: PNP - Darlington Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Bulk |
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2N6036G | onsemi |
Darlington Transistors 4A 80V Bipolar Power PNP |
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| 2N6036G | ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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| 2N6036G | ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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| 2N6036G |
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Hersteller: On Semiconductor
TRANS PNP DARL 80V 4A TO225AA (замена BD170) Транзистори
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| 2N6036G |
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TRANS PNP DARL 80V 4A TO225AA Транзистори
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 80V 4A TO-126
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-126
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Transistor Type: PNP - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Description: TRANS PNP DARL 80V 4A TO-126
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-126
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
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Hersteller: onsemi
Darlington Transistors 4A 80V Bipolar Power PNP
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Trans Darlington PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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