2N6052 Microchip Technology


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Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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Technische Details 2N6052 Microchip Technology

Description: TRANS PNP DARL 100V 12A TO204, Power - Max: 150 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Supplier Device Package: TO-204 (TO-3), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 6A, 3V, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP - Darlington, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Packaging: Tray.

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