2N6052G On Semiconductor


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Hersteller: On Semiconductor
T0-3 PNP 12A 100V Аналог КТ825 Транзистори
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Technische Details 2N6052G On Semiconductor

Description: TRANS PNP DARL 100V 12A TO204, Packaging: Tray, Power - Max: 150 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-204 (TO-3), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 6A, 3V, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP - Darlington, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-204AA, TO-3.

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2N6052G 2N6052G Hersteller : onsemi 2n6052-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 12A TO204
Packaging: Tray
Power - Max: 150 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 6A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
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2N6052G 2N6052G Hersteller : onsemi 2N6052_D-1801464.pdf Darlington Transistors 12A 100V Bipolar Power PNP
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